隨著工業(yè)化程度的不斷提高，VOCs有機廢氣的污染有進一步擴大的趨勢。而隨著環(huán)保政策的愈加嚴厲，對有機污染廢氣的排放控制就顯得更為重要了。那么這幾大有機廢氣處理技術(shù)各有什么優(yōu)缺點呢？

處理原理及分類

目前的揮發(fā)性有機污染物的治理包括破壞性，非破壞性方法，及這兩種方法的組合。

破壞性的方法：包括燃燒、生物氧化、熱氧化、光催化氧化，低溫等離子體及其集成的技術(shù)，主要是由化學或生化反應，用光，熱，微生物和催化劑將VOCs轉(zhuǎn)化成CO2和H2O等無毒無機小分子化合物。

非破壞性法：即回收法，主要是碳吸附、吸收、冷凝和膜分離技術(shù)，通過物理方法，控制溫度，壓力或用選擇性滲透膜和選擇性吸附劑等來富集和分離揮發(fā)性有機化合物。

傳統(tǒng)的揮發(fā)性廢氣處理常用吸收、吸附法去除，燃燒去除等，在近幾年中，半導體光催化劑的技術(shù)體，低溫等離子得到了迅速發(fā)展。

處理工藝解析

5、光催化氧化工藝

（1）光催化氧化工藝簡介

光化學和光催化氧化法是目前研究較多的一種氧化技術(shù)。光催化反應即在光的作用下進行的化學反應。分子吸收特定波長的電磁輻射后，是分子達到激發(fā)態(tài)，然后發(fā)生化學反應，產(chǎn)生新的物質(zhì)，或成為熱反應的引發(fā)劑。

（2）光催化氧化工藝原理及流程

Ti02作為一種半導體材料其自身的光電特性決定了它可以用作光催化劑。半導體的能帶結(jié)構(gòu)通常是一個電子填充低能量價帶（VB）和一個空的高能量的導帶（CB），導帶和價帶之間的區(qū)域被稱為禁帶。

當照射半導體的光能量等于或大于禁帶寬度時，其價帶電子被激發(fā)，跨過禁帶進入導帶，并在價帶中產(chǎn)生相應空穴。電子從價帶激發(fā)到導帶，激發(fā)后分離的電子和空穴都有一部分進一步進行反應。

（3）光催化氧化工藝的影響因素

研究表明，反應物初始濃度對光催化效率或降解速率有明顯的影響。光催化效率隨著初始濃度增加而波動，存在明顯的濃度轉(zhuǎn)變點；低濃度目標物的光催化降解效率大于高濃度目標物的光催化降解效率。

濕度對光催化反應的影響尚無一致性結(jié)論。對于不同化合物或者不同濃度等實驗條件，存在很大的差別。

（4）光催化氧化工藝優(yōu)缺點

優(yōu)點：

處理效率高，運行費用低，適用于低濃度廣范圍的 VOCs特別對芳烴的去除效率高；

缺點：

對高濃度VOCs廢氣處理效率一般；主要還停留在實驗室階段，缺乏實際應用。